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中硅高科兩項半導體材料科技成果獲評國際領先

作者：發布時間：2026年05月21日瀏覽次數：

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　　近日，中硅高科牽頭完成的兩項半導體材料技術通過院士專家組評審，整體達到國際領先水平。

　　其中，“寬禁帶半導體用超高純碳化硅材料制備關鍵技術”首創氣相法工藝，建成國內首條年產300噸生產線，整體達到國際領先水平。“集成電路用電子級六氯乙硅烷制備關鍵技術”整體達到國際先進水平，顆粒度控制達到國際領先水平。這標志著我國第三代半導體及高純電子特氣領域國產化實現重大突破。

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